HAMAMATSU滨松 S16835-050DG SPAD
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HAMAMATSU滨松 S16835-050DG SPAD

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HAMAMATSU滨松     S16835-050DG          SPAD


详细参数

封装类型金属 (TO-8)
有效光敏区φ 54 µm
光谱响应范围400～1000 nm
最大灵敏度波长（典型值）610 nm
暗计数（典型值）0.015 kcps
结电容（典型值）2.8 pF
增益率（典型值）6×106
测量条件Ta = 25 ℃, Tchip = -20 ℃

外形尺寸图（单位：mm）




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